Μνήμη h5tc4g63cfr-PBAR DDR3 DRAM (256MX16, CMOS, PBGA96) Τα μέρη είναι ένα χαμηλής ισχύος διπλό ποσοστό ΙΙΙ στοιχείων 4Gb (DDR3L) σύγχρονο DRAM, που ταιριάζει ιδανικά για τις εφαρμογές κύριας μνήμης που απαιτεί ... Read More
K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28, ΤΣΙΠ ΜΝΉΜΗΣ BGA Η Samsung GDDR5 επιτυγχάνει γρήγορα την τηλεοπτική και τρισδιάστατη παράσταση-εντατική απόδοση, με ένα ποσοστό στοιχείων σχεδόν τρεις φορές γρηγορότερα από ... Read More
GDDR6 αποθήκευση FBGA-μνήμης της SAMSUNG 8G 256X32M K4Z80325BC-HC16 GDDR6 υποστηρίζει το ευρύτερο φάσμα των εφαρμογών, από τους επιταχυντές για το υπολογιστή υψηλής απόδοσης, στους τερματικούς σταθμούς, κονσόλε... Read More
Αποθήκευση τσιπ μνήμης τσιπ μνήμης H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 τσιπ μνήμης DRAM DRAM Χαρακτηριστικά γνωρίσματα: VDD1 = 1.8V (1.7V σε 1.95V) · VDD2 και VDDCA = 1.1V (1.06V σε 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V σε ... Read More
