Τσιπ μνήμης H9HCNNN4KMMLHR 4Gb DRAM, αποθήκευση τσιπ κριού υπολογιστών LPDDR4 BGA200

Αποθήκευση τσιπ μνήμης τσιπ μνήμης H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 τσιπ μνήμης DRAM DRAM

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα:

VDD1 = 1.8V (1.7V σε 1.95V)
· VDD2 και VDDCA = 1.1V (1.06V σε 1.17V)
· VDDQ = 0.6V (0.57V σε 0.65V)
· Ολοκληρωμένα VSSQ σήματα DQ (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Ενιαία αρχιτεκτονική ποσοστού στοιχείων για την εντολή και τη διεύθυνση 
  - όλοι ο έλεγχος και η διεύθυνση που κλείνονται στην αυξανόμενη άκρη του ρολογιού
· Διπλή αρχιτεκτονική ποσοστού στοιχείων για το λεωφορείο στοιχείων 
  - δύο προσβάσεις στοιχείων ανά κύκλο ρολογιών
· Διαφορικές εισαγωγές ρολογιών (CK_t, CK_c)
· Αμφίδρομο διαφορικό στροβοσκόπιο στοιχείων (DQS_t, DQS_c)
  - Σύγχρονη συναλλαγή στοιχείων πηγής που ευθυγραμμίζεται στο αμφίδρομο διαφορικό στροβοσκόπιο στοιχείων (DQS_t, DQS_c)
· Η υποστήριξη καρφιτσών DMI για γράφει την κάλυψη στοιχείων και τη λειτουργία DBIdc
· Προγραμματίσημο RL (που διαβάζονται τη λανθάνουσα κατάσταση) και WL (γράψτε τη λανθάνουσα κατάσταση)
· Μήκος έκρηξης: 16 (προεπιλογή), 32 και σε ώρα πτήσης
  - Στα πεταχτά ο τρόπος επιτρέπεται από την ΚΑ
· Το αυτοκίνητο αναζωογονεί και μόνος αναζωογονήστε υποστηριγμένος
· Όλοι καταθέτουν το αυτοκίνητο σε τράπεζα αναζωογονούν και κατεύθυναν ανά αυτοκίνητο τραπεζών αναζωογονούν υποστηριγμένος
· Αυτόματο TCSR (η θερμοκρασία αντιστάθμισε μόνο αναζωογονεί)
· PASR (η μερική σειρά μόνη αναζωογονεί) από τη μάσκα τράπεζας και τη μάσκα τμήματος
· Βαθμολόγηση υποβάθρου ZQ