H5TC4G63CFR - ενότητα τσιπ μνήμης 256MX16 CMOS PBGA96 DRAM PBAR DDR3 DRAM

Μνήμη h5tc4g63cfr-PBAR DDR3 DRAM (256MX16, CMOS, PBGA96)

Τα μέρη είναι ένα χαμηλής ισχύος διπλό ποσοστό ΙΙΙ στοιχείων 4Gb (DDR3L) σύγχρονο DRAM, που ταιριάζει ιδανικά για τις εφαρμογές κύριας μνήμης που απαιτεί τη μεγάλη πυκνότητα μνήμης, το υψηλό εύρος ζώνης και τη χαμηλής ισχύος λειτουργία σε 1.35V. Το SK Hynix DDR3L SDRAM παρέχει στην οπίσθια συμβατότητα το βασισμένο στο DDR3 περιβάλλον 1.5V χωρίς οποιεσδήποτε αλλαγές. SK Hynix 4Gb DDR3L
Διαδικασίες προσφοράς SDRAMs σύγχρονες πλήρως που παραπέμπονται και στις αυξανόμενες και μειωμένες άκρες του ρολογιού. Ενώ
όλες οι διευθύνσεις και οι εισαγωγές ελέγχου είναι κλεισμένες με μάνταλο στις αυξανόμενες άκρες του ρολογιού (μειωμένες άκρες του ρολογιού),
τα στοιχεία, στροβοσκόπια στοιχείων και γράφουν οι εισαγωγές μασκών ότι στοιχείων επιλέγονται και στις αυξανόμενες και μειωμένες άκρες από το. Τα στοιχεία
οι πορείες διοχετεύονται εσωτερικά και οκτάμπιτος για να επιτύχει το πολύ υψηλό εύρος ζώνης.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ