H5tq4g63cfr-RDC η επιφάνεια τσιπ μνήμης 256MX16 CMOS PBGA96 DRAM τοποθετεί την υψηλή αποδοτικότητα

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
• Πλήρως διαφορική λειτουργία εισαγωγών ρολογιών (CK, CK)
• Διαφορικό στροβοσκόπιο στοιχείων (DQS, DQS)
• Στο τσιπ DLL ευθυγραμμίστε DQ, DQS και τη μετάβαση DQS με τη μετάβαση των CK
• Οι μάσκες DM γράφουν στοιχείο-μέσα στις και αυξανόμενες και μειωμένες άκρες του στροβοσκόπιου στοιχείων
• Όλες οι διευθύνσεις και οι εισαγωγές ελέγχου εκτός από τα στοιχεία, τα στροβοσκόπια στοιχείων και τις μάσκες στοιχείων κλεισμένα με μάνταλο στις αυξανόμενες άκρες του ρολογιού
• Προγραμματίσημη λανθάνουσα κατάσταση CAS 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 και 14 που υποστηρίζονται
• Προγραμματίσημη πρόσθετη λανθάνουσα κατάσταση 0, CL-1, και CL2 που υποστηρίζεται
• Το προγραμματίσημο CAS γράφει τη λανθάνουσα κατάσταση το (CWL) = 5, 6, 7, 8 9 και 10
• Το προγραμματίσημο μήκος 4/8 έκρηξης και με διαδοχικός και παρεμβάλλει λευκές σελίδες στον τρόπο
• Διακόπτης BL στα πεταχτά
• 8banks
• Μέσος κύκλος ανανέωσης (Tcase 0°C~ 95°C)
  • 7.8 µs σε 0°C ~ 85°C
  • 3.9 µs βιομηχανική θερμοκρασία θερμοκρασίας 85°C ~ 95°C στην εμπορική (0°C ~ 95°C) (-40°C ~ 95°C)
• JEDEC τυποποιημένο 78ball FBGA (x8), 96ball FBGA (x16)
• Δύναμη οδηγών που επιλέγεται από EMRS
• Δυναμικός στη λήξη κύβων που υποστηρίζεται
• Ασύγχρονη καρφίτσα ΑΝΑΣΤΟΙΧΕΙΟΘΕΤΗΣΗΣ που υποστηρίζεται
• ZQ βαθμολόγηση που υποστηρίζεται
• TDQS (στροβοσκόπιο στοιχείων λήξης) που υποστηρίζεται (x8 μόνο)
• Γράψτε Levelization που υποστηρίζεται
• οκτάμπιτη προ-ευρύτητα

Τεχνικές ιδιότητες

ECCN/UNSPSC