products
Αρχική Σελίδα > Προϊόντα> Τσιπ αστραπιαίας σκέψης> W9751G6KB-25 ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ βιομηχανία 84WBGA 400MHz αστραπιαίας σκέψης 512Mb μικροτσίπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM

W9751G6KB-25 ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ βιομηχανία 84WBGA 400MHz αστραπιαίας σκέψης 512Mb μικροτσίπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM

W9751G6KB-25 IC DRAM PARALLEL Microchip Flash Memory 512Mb Industry 84WBGA 400MHz
W9751G6KB-25 IC DRAM PARALLEL Microchip Flash Memory 512Mb Industry 84WBGA 400MHz W9751G6KB-25 IC DRAM PARALLEL Microchip Flash Memory 512Mb Industry 84WBGA 400MHz
Βασικές πληροφορίες
Πιστοποίηση: Original Parts
Αριθμό μοντέλου: W9751G6KB-25
Ποσότητα παραγγελίας min: 1 συσκευασία
Τιμή: Negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: 10cm X 10cm X 5cm
Χρόνος παράδοσης: 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, PayPal, Western Union, μεταβίβαση και άλλες
Δυνατότητα προσφοράς: 6000pcs ανά μήνα
Καλύτερη τιμή Επικοινωνήστε
Λεπτομερής ενημέρωση
Στοιχείο Numbe: W9751G6KB-25 Κατηγορία προϊόντων: Μνήμη & αστραπιαία σκέψη
Μεγάλη χωρητικότητα: 512Mb (32M X 16) συχνότητας: 400MHz
Βολτ: 1.7 Β ~ 1,9 Β Τεχνολογία: SDRAM - DDR2
Temp.: 0°C ~ 85°C (TC) συσκευασία: BGA84
Υψηλό φως:

αστραπιαία σκέψη τύπων NAND

,

τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Περιγραφή προϊόντων

Ολοκληρωμένο κύκλωμα DRAM 512M τσιπ W9751G6KB-25 αστραπιαίας σκέψης ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 84WBGA

 

Τεχνικές προδιαγραφές προϊόντων

ΕΕ RoHS Υποχωρητικός
ECCN (ηε) EAR99
Τύπος DRAM DDR2 SDRAM
Πυκνότητα τσιπ (κομμάτι) 512M
Οργάνωση 32Mx16
Αριθμός εσωτερικών τραπεζών 4
Αριθμός λέξεων ανά τράπεζα 8M
Αριθμός κομματιών/Word (κομμάτι) 16
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων (κομμάτι) 16
Μέγιστο ποσοστό ρολογιών (MHZ) 800
Μέγιστος χρόνος πρόσβασης (NS) 0,4
Πλάτος λεωφορείων διευθύνσεων (κομμάτι) 15
Τύπος διεπαφών SSTL_18
Ελάχιστη λειτουργούσα τάση ανεφοδιασμού (β) 1.7
Χαρακτηριστική λειτουργούσα τάση ανεφοδιασμού (β) 1.8
Μέγιστη λειτουργούσα τάση ανεφοδιασμού (β) 1.9
Λειτουργούν ρεύμα (μΑ) 165
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία (°C) 0
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία (°C) 85
Αριθμός I/O γραμμών (κομμάτι) 16
Αρίθμηση καρφιτσών 84
Συσκευασία προμηθευτών WBGA
Μοντάρισμα Η επιφάνεια τοποθετεί
Ύψος συσκευασίας 0,8 (Max)
Μήκος συσκευασίας 12.5
Πλάτος συσκευασίας 8
PCB που αλλάζουν 84

 

Χαρακτηριστικό γνώρισμα:

 

W9751G6KB-25 ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ βιομηχανία 84WBGA 400MHz αστραπιαίας σκέψης 512Mb μικροτσίπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 0

W9751G6KB-25 ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ βιομηχανία 84WBGA 400MHz αστραπιαίας σκέψης 512Mb μικροτσίπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 1

 

 

 

 

 

ετικέτα:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Στοιχεία επικοινωνίας
Karen.
Περισσότεροι Τσιπ αστραπιαίας σκέψης
THGBM5G5A1JBA1R τσιπ αστραπιαίας σκέψης, νέα αρχική αποθήκευση αστραπιαίας σκέψης NAND bga-153 4gb

THGBM5G5A1JBA1R τσιπ αστραπιαίας σκέψης, νέα αρχική αποθήκευση αστραπιαίας σκέψης NAND bga-153 4gb

Επικοινωνήστε
Mt29c2g48maklcji-6it-ND τσιπ 2G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 166MHZ αστραπιαίας σκέψης υψηλής ταχύτητας RAM ολοκληρωμένου κυκλώματος

Mt29c2g48maklcji-6it-ND τσιπ 2G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 166MHZ αστραπιαίας σκέψης υψηλής ταχύτητας RAM ολοκληρωμένου κυκλώματος

Επικοινωνήστε
Mt29f2g08abaeah4-εσύ παράλληλη αστραπιαία σκέψη 63vfbga 2,7 Β ~ 3,6 Β NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος 2gb Ε

Mt29f2g08abaeah4-εσύ παράλληλη αστραπιαία σκέψη 63vfbga 2,7 Β ~ 3,6 Β NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος 2gb Ε

Επικοινωνήστε
TC58NVG0S3HBAI4 τσιπ αστραπιαίας σκέψης, τσιπ 1G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 63TFBGA αποθήκευσης λάμψης ολοκληρωμένου κυκλώματος

TC58NVG0S3HBAI4 τσιπ αστραπιαίας σκέψης, τσιπ 1G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 63TFBGA αποθήκευσης λάμψης ολοκληρωμένου κυκλώματος

Επικοινωνήστε
Χαμηλής ισχύος ολοκληρωμένο κύκλωμα SDRAM DDR2 τσιπ 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Χαμηλής ισχύος ολοκληρωμένο κύκλωμα SDRAM DDR2 τσιπ 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Επικοινωνήστε
K9f5608uod-PCBO τσιπ 32M ελεγκτών λάμψης NAND οκτάμπιτη 16M Χ δεκαεξάμπιτη αστραπιαία σκέψη NAND Χ

K9f5608uod-PCBO τσιπ 32M ελεγκτών λάμψης NAND οκτάμπιτη 16M Χ δεκαεξάμπιτη αστραπιαία σκέψη NAND Χ

Επικοινωνήστε
HY5PS1G831CFP-S6 κινητό τσιπ 128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 αστραπιαίας σκέψης της ΟΔΓ DRAM

HY5PS1G831CFP-S6 κινητό τσιπ 128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 αστραπιαίας σκέψης της ΟΔΓ DRAM

Επικοινωνήστε
Mx30lf1208aa-XKI μετακινούμενη 512mb ενότητα παράλληλο 63vfbga αστραπιαίας σκέψης NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος

Mx30lf1208aa-XKI μετακινούμενη 512mb ενότητα παράλληλο 63vfbga αστραπιαίας σκέψης NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος

Επικοινωνήστε