products

Ηλεκτρονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα ασύγχρονο 4Mb παράλληλο 10ns TSOP44 SRAM IS61WV25616BLL-10TLI

Βασικές πληροφορίες
Πιστοποίηση: Original Parts
Αριθμό μοντέλου: IS61WV25616BLL-10TLI
Ποσότητα παραγγελίας min: 1 κομμάτι
Τιμή: Negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες: 10cm X 10cm X 5cm
Χρόνος παράδοσης: 3-5 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, PayPal, Western Union, μεταβίβαση και άλλες
Δυνατότητα προσφοράς: 500-2000pcs το μήνα
Λεπτομερής ενημέρωση
Το στοιχείο "όχι".: IS61WV25616BLL-10TLI Τύπος μνήμης: Πτητικός
σχήμα μνήμης: SRAM Μέγεθος μνήμης: Μέγεθος μνήμης
Υψηλό φως:

Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

,

ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος


Περιγραφή προϊόντων

IC CHIP SRAM IS61WV25616BLL-10TLI Μνήμη IC Chip - Ασύγχρονη μνήμη IC 4Mb Παράλληλη 10ns TSOP44

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ:

ΥΨΗΛΗ ΤΑΧΥΤΗΤΑ: (IS61 / 64WV25616ALL / BLL)

• Χρόνος πρόσβασης υψηλής ταχύτητας: 8, 10, 20 ns

• Χαμηλή ενεργή ισχύς: 85 mW (τυπική)

• Χαμηλή ισχύς αναμονής: 7 mW (τυπική) κατάσταση αναμονής CMOS

Χαμηλή Ισχύς: (IS61 / 64WV25616ALS / BLS)

• Χρόνος πρόσβασης υψηλής ταχύτητας: 25, 35, 45 ns

• Χαμηλή ενεργή ισχύς: 35 mW (τυπική)

• Χαμηλή ισχύς αναμονής: 0,6 mW (τυπική) κατάσταση αναμονής CMOS

• Ενιαία παροχή ρεύματος

- V DD 1.65V έως 2.2V (IS61WV25616Axx)

- V DD 2.4V έως 3.6V (IS61 / 64WV25616Bxx)

• Πλήρης στατική λειτουργία: δεν απαιτείται ρολόι ή ανανέωση

• Τρεις εξόδους

• Έλεγχος δεδομένων για ανώτερα και κατώτερα byte

• Υποστήριξη θερμοκρασίας βιομηχανικών και αυτοκινήτων

• Διαθέσιμο χωρίς μόλυβδο

ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ:

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Το ISSI IS61WV25616Axx / Bxx και IS64WV25616Bxx

είναι στατικές RAM 4,194,304-bit που οργανώνονται ως 262,144 λέξεις από 16 bits. Κατασκευάζεται με την τεχνολογία CMOS υψηλής απόδοσης της ISSI . Αυτή η εξαιρετικά αξιόπιστη διαδικασία σε συνδυασμό με τις καινοτόμες τεχνικές σχεδιασμού κυκλωμάτων,

αποδίδει συσκευές υψηλής απόδοσης και χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας.

Όταν το CE είναι HIGH (απενεργοποιημένο), η συσκευή αναλαμβάνει κατάσταση αναμονής στην οποία η κατανάλωση ισχύος μπορεί να μειωθεί με τα επίπεδα εισόδου CMOS.

Εύκολη επέκταση της μνήμης παρέχεται με τη χρήση εισόδων ενεργοποίησης Chip Enable and Output Enable, CE και OE . Το ενεργό LOW Write Enable ( WE ) ελέγχει τόσο τη γραφή όσο και την ανάγνωση της μνήμης. Ένα byte δεδομένων επιτρέπει την πρόσβαση Upby Byte ( UB ) και Lower Byte ( LB ).

Τα μοντέλα IS61WV25616Axx / Bxx και IS64WV25616Bxx συσκευάζονται στο πρότυπο JEDEC 44-pin TSOP τύπου II και 48-pin Mini BGA (6mm x 8mm).

DC ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (Πάνω από το εύρος λειτουργίας)

V DD = 3.3V + 5%

Σύμβολο Παράμετρος Συνθήκες δοκιμής Ελάχιστο. Μέγιστη. Μονάδα
V OH Έξοδος ΥΨΗΛΗ Τάση V DD = Ελάχιστη, ΙΟΗ = -4,0 mA 2.4 - V
V OL Έξοδος χαμηλής τάσης V DD = Ελάχιστη, I OL = 8,0 mA - 0.4 V
V IH Εισαγωγή Υψηλή τάση 2 V DD + 0,3 V
V IL Τάση χαμηλής τάσης εισόδου (1) -0.3 0.8 V
Εγώ Διαρροή εισόδου GND £ V IN £ V DD -1 1 μΑ
Εγώ Διαρροή εξόδου GND £ V OUT £ V DD , Οι εξόδους απενεργοποιούνται -1 1 μΑ

Σημείωση:

1. V IL (ελάχιστο) = -0,3V DC. V IL (ελάχιστο) = -2.0V AC (πλάτος παλμού <10 ns). Δεν ελέγχθηκε 100%.

V IH (μέγ.) = V DD + 0,3V DC. V IH (μέγιστο) = V DD + 2,0V AC (πλάτος παλμού <10 ns). Δεν ελέγχθηκε 100%.

DC ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (Πάνω από το εύρος λειτουργίας)

V DD = 2.4V-3.6V

Σύμβολο Παράμετρος Συνθήκες δοκιμής Ελάχιστο. Μέγιστη. Μονάδα
V OH Έξοδος ΥΨΗΛΗ Τάση V DD = Ελάχιστο, IOH = -1,0 mA 1.8 - V
V OL Έξοδος χαμηλής τάσης V DD = Ελάχιστη, I OL = 1,0 mA - 0.4 V
V IH Εισαγωγή Υψηλή τάση 2.0 V DD + 0,3 V
V IL Τάση χαμηλής τάσης εισόδου (1) -0.3 0.8 V
Εγώ Διαρροή εισόδου GND £ V IN £ V DD -1 1 μΑ
Εγώ Διαρροή εξόδου GND £ V OUT £ V DD , Οι εξόδους απενεργοποιούνται -1 1 μΑ

Σημείωση:

1. V IL (ελάχιστο) = -0,3V DC. V IL (ελάχιστο) = -2.0V AC (πλάτος παλμού <10 ns). Δεν ελέγχθηκε 100%.

V IH (μέγ.) = V DD + 0,3V DC. V IH (μέγιστο) = V DD + 2,0V AC (πλάτος παλμού <10 ns). Δεν ελέγχθηκε 100%.

DC ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ (Πάνω από το εύρος λειτουργίας)

V DD = 1,65V-2,2V

Σύμβολο Παράμετρος Συνθήκες δοκιμής V DD Ελάχιστο. Μέγιστη. Μονάδα
V OH Έξοδος ΥΨΗΛΗ Τάση ΙΟΗ = -0,1 mA 1.65-2.2V 1.4 - V
V OL Έξοδος χαμηλής τάσης I OL = 0,1 mA 1.65-2.2V - 0,2 V
V IH Εισαγωγή Υψηλή τάση 1.65-2.2V 1.4 V DD + 0,2 V
VIL (1) Εισαγωγή Χαμηλής Τάσης 1.65-2.2V -0.2 0.4 V
Εγώ Διαρροή εισόδου GND £ V IN £ V DD -1 1 μΑ
Εγώ Διαρροή εξόδου GND £ V OUT £ V DD , Οι εξόδους απενεργοποιούνται -1 1 μΑ

Σημείωση:

1. V IL (ελάχιστο) = -0,3V DC. V IL (ελάχιστο) = -2.0V AC (πλάτος παλμού <10 ns). Δεν ελέγχθηκε 100%.

V IH (μέγ.) = V DD + 0,3V DC. V IH (μέγιστο) = V DD + 2,0V AC (πλάτος παλμού <10 ns). Δεν ελέγχθηκε 100%.

ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΔΟΚΙΜΗΣ AC

Παράμετρος Μονάδα Μονάδα Μονάδα
(2.4V-3.6V) (3.3V + 10%) (1,65V-2,2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1,8V
Εισαγωγή και Φθορές 1V / ns 1V / ns 1V / ns
InputandOutputTiming καιReferenceLevel (V Ref ) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Βλ. Σχήματα 1 και 2 Βλ. Σχήματα 1 και 2 Βλ. Σχήματα 1 και 2

Στοιχεία επικοινωνίας
Karen.